发明名称 |
用于制造硅的方法和装置 |
摘要 |
本发明是关于一种用于从电解质制造纯硅的装置,其包含用于接收所述电解质的第一坩埚,用于加热所述第一坩埚中的所述电解质以形成熔融电解质的热源,适于与所述熔融电解质电/离子性连通的阳极和阴极,其中当在所述阳极和所述阴极之间提供电位差时,电解能够施加到所述熔融电解质。当正施加电解时,搅拌器件适于搅拌所述熔融电解质从而产生纯硅,所述纯硅可与所述阳极一起溶解形成合金。 |
申请公布号 |
CN103261095A |
申请公布日期 |
2013.08.21 |
申请号 |
CN201180061605.6 |
申请日期 |
2011.12.20 |
申请人 |
盈保发展有限公司 |
发明人 |
刘培生;刘理璋 |
分类号 |
C01B33/023(2006.01)I;C25B1/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/023(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
刘慧;杨青 |
主权项 |
一种从电解质制造纯硅的方法,其中所述方法包括以下步骤:(i)在第一坩埚中加热所述电解质以形成熔融电解质;和(ii)通过在阳极和阴极之间提供电位差将电解施加到所述熔融电解质,所述阳极和阴极适于与所述熔融电解质电/离子性连通;其中在正施加电解时搅拌所述熔融电解质且由所述电解产生的纯硅可与所述阳极一起溶解形成合金。 |
地址 |
中国香港新界 |