主权项 |
电解精炼‑液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:步骤1.阳极含硅合金的熔配:采用密度大于硅,且比硅电负性大的金属与冶金级硅或者工业多晶硅线切割废料按1:3‑3:1比例混合,熔融后作为阳极,备用;步骤2.电解质的熔配:电解质体系采用氟化物与含有硅化合物的混合物,熔融后作为电解质体系,备用;其中,含有硅化合物含量为1wt%‑20wt%,所述氟化物为NaF, KF, MgF2, CaF2, BaF2, SrF2中的至少一种;所述含硅化合物为SiO2, Li2SiF6, Na2SiF6, K2SiF6, ZnSiF6, CaSiF6, BaSiF6, SrSiF6, Li2SiO3, Na2SiO3, K2SiO3, CaSiO3, MgSiO3, BaSiO3中的至少一种;步骤3.阴极初始原料为纯度6N以上液态高纯硅;步骤4.将步骤(1)中的熔融硅合金置于电解槽底部作为阳极,步骤(2)中的熔融电解质置于中间层,电解质的厚度为3~30cm,步骤(3)中熔融高纯硅置于最上层作为阴极,电解槽自下而上为“熔融硅合金‑‑熔融电解质‑‑熔融高纯硅”三层液态电解池,电解槽整体处于密封惰性气氛,在温度为1450℃‑1650℃下,进行恒电流电解精炼,电流密度为5mA/cm2‑2000mA/cm2,电解过程中阳极区可直接加料,保证电解连续进行;步骤5.在阴极集流体上安装籽晶,进行定向凝固拉升,拉升过程中缓慢旋转,最终生长出圆柱形的单晶硅。 |