发明名称 TEM-Probe-Vorbereitungsverfahren
摘要 Ein TEM-Probe-Vorbereitungsverfahren enthält: Platzieren von einer dünnen Probe derart auf einen Probenhalter, dass eine erste Seitenfläche der dünnen Probe, welche näher an einem gewünschten Beobachtungsziel ist, einer fokussierten Ionenstrahlsäule gegenüber liegt; Einstellen eines Verarbeitungsbereichs, welcher einer Ätzverarbeitung durch einen fokussierten Ionenstrahl zu unterwerfen ist, um somit einen Dünnfilmabschnitt auszubilden, welcher das Beobachtungsziel enthält und eine Dickenrichtung hat, welche im Wesentlichen parallel zu einer Dickenrichtung von der dünnen Probe ist, auf einen Bereich der ersten Seitenfläche, welche an dem Dünnfilmabschnitt angrenzt; und Durchführen der Ätzverarbeitung auf einen Abschnitt der dünnen Probe, welcher sich von der ersten Seitenfläche davon zu einer Vorderfläche davon erstreckt, durch Bestrahlen des Verarbeitungsbereichs mit dem fokussierten Ionenstrahl von der fokussierten Ionenstrahlsäule.
申请公布号 DE102013101261(A1) 申请公布日期 2013.08.14
申请号 DE201310101261 申请日期 2013.02.08
申请人 HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORP. 发明人 SUZUKI, HIDEKAZU;NAKATANI, IKUKO
分类号 G01N1/28;G01N1/44;H01J37/305 主分类号 G01N1/28
代理机构 代理人
主权项
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