| 发明名称 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用，发射极与基极之间是双量子阱型的。本发明用于高灵敏度的THz(远红外线又称亚毫米波)传感器，如果与时序控制深度的多个量子阱和CMOS(0&1)器件组合可以得到空间耦合电荷CCD亚毫米波照相机等有广阔的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103247673A | 申请公布日期 | 2013.08.14 |
| 申请号 | CN201310127529.5 | 申请日期 | 2013.04.12 |
| 申请人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明人 | 张晔 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人 | 余成俊 |
| 主权项 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管，其特征在于：基极和发射极之间为双量子阱谐振隧穿型的。 | ||
| 地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号 | ||