| 发明名称 |
沉积掺杂碳之磊晶半导体层之方法、沉积半导体材料的方法与装置及在反应腔室中之基板上形成电晶体设备之方法 |
| 摘要 |
一种沈积掺杂碳之磊晶半导体层(30)之方法包括在容纳具有暴露的单晶材料(20)之经图案化的基板(10)之处理腔室(122)中维持大于约700托之压力。此方法更包括提供矽源气体之流动至处理腔室(122)。矽源气体包括二氯矽烷。此方法更包括提供碳前驱物(132)之流动至处理腔室(122)。此方法更包括选择性地将掺杂碳之磊晶半导体层(30)沈积于暴露的单晶材料(20)上。 |
| 申请公布号 |
TWI405248 |
申请公布日期 |
2013.08.11 |
| 申请号 |
TW095147892 |
申请日期 |
2006.12.20 |
| 申请人 |
ＡＳＭ美国股份有限公司 美国 |
发明人 |
波尔 麦特喜爱斯 |
| 分类号 |
H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
