发明名称 | 使用激光诱导击穿光谱技术快速检测金属热扩散的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种使用激光诱导击穿光谱技术快速检测金属热扩散的方法。本发明首先使激光聚焦在待测样品表面,样品表面被激光烧灼产生等离子体,并辐射携带元素成分信息的光子;然后利用光谱仪实时采集特征光子;同时选定金属与硅的特征谱线,实时检测其强度以计算出金属的含量;最后随着激光不停的烧灼,能得到不同深度的金属含量信息,最终记录下金属的深度分布数据;本发明利用激光诱导击穿光谱技术分析了铝在硅晶片中的热扩散,能分辨出不同温度下铝在硅中的深度分布的差异,得到了具有较高的精确度的结果。与其他检测技术相比,该技术能快速、几乎无损地检测金属的热扩散。 | ||
申请公布号 | CN103234943A | 申请公布日期 | 2013.08.07 |
申请号 | CN201310122070.X | 申请日期 | 2013.04.09 |
申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 张峻;郑佳磊;席俊华;季振国 |
分类号 | G01N21/63(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/63(2006.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 杜军 |
主权项 | 使用激光诱导击穿光谱技术快速检测金属热扩散的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:步骤(1).开启激光,激光通过透镜聚焦在待测样品表面,样品表面被激光烧灼产生等离子体,并辐射携带元素成分信息的光子;步骤(2).利用光谱仪实时采集特征光子,在电脑上实时显示光谱;同时选定金属与硅的特征谱线,实时检测其强度以计算出金属的含量;步骤(3).随着激光不停的烧灼,能得到不同深度的金属含量信息,最终记录下金属的深度分布数据;所述的待测样品为表面镀了金属薄膜的硅晶片,其分别在不同温度中热处理过以实现不同速率的热扩散。 | ||
地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |