用于DUV、MUV和光学平版印刷的基于全受体取代的芳族阴离子的离子、有机光致产酸剂

摘要

光致产酸剂P+A-包括天线(antenna)基团P+和A-，所述天线基团P+包括当与光相互作用时产生质子的阳离子，和所述A-包括不含氟或半金属元素，例如硼的弱配位的全受体-取代的芳族阴离子。在一个实施方案中，这种阴离子包括下述化合物4、5、6和7，其中E包括吸电子基团，且除去一个质子产生芳香性。P+包括与光子相互作用时分解成质子和其他组分的鎓阳离子。P+可包括有机硫属元素鎓阳离子或卤素鎓阳离子，其中在另一个实施方案中，硫属元素鎓阳离子可包括氧鎓、锍、硒鎓、碲鎓或鎓阳离子，和在另一个实施方案中，卤素鎓阳离子可包括碘鎓、氯或溴鎓阳离子。新颖化合物包括TPS CN5。照相平版印刷配方包括与照相平版印刷组合物例如照相平版印刷聚合物结合的该光致产酸剂。当在基底上时，该配方曝光于光学平版印刷辐射或ArF(193nm)或KrF(248nm)辐射下并显影。产物包括通过本发明的方法制备的制造制品。

主权项

1.当用光子辐照时分解成酸H⁺A^-的光致产酸剂P⁺A^-，其中A^-包括不含氟或半金属元素的全受体-取代的有机超酸的阴离子；和其中A^-包括5、6或7的至少一个：其中E包括氰基(CN)、烷氧基、硝基、烷基羰基氧基、烷氧基羰基、氯、溴、碘、芳氧基、芳基羰基氧基或芳氧基羰基的至少一个；和其中P⁺是不含氟的阳离子。