发明名称 Zusammensetzung zum Polieren und Verfahren zum Polieren eines Halbleitersubstrats unter Verwendung derselben
摘要 <p>Bereitgestellt wird eine Polierzusammensetzung, enthaltend Schleifkörner, wenigstens eine Art einer Alkoholverbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus aliphatischen Alkoholen mit 2 bis 6 Kohlenstoffatomen und Glykolethern mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen, wenigstens eine Art einer basischen Verbindung, gewählt aus der Gruppe bestehend aus quaternären Ammoniumsalzen und Alkalimetallsalzen, und Wasser. Der durchschnittliche Partikeldurchmesser der Schleifkörner beträgt 5 bis 50 nm. Der Gehalt der Alkoholverbindung in der Polierzusammensetzung beträgt 5 bis 50 nm. Die Polierzusammensetzung wird hauptsächlich beim Polieren einer Halbleitersubstratoberfläche eingesetzt.</p>
申请公布号 DE112011103702(T5) 申请公布日期 2013.08.01
申请号 DE201111103702T 申请日期 2011.11.07
申请人 FUJIMI INCORPORATED 发明人 SHINODA, TOSHIO;NAGAHARA, KAYOKO;INOUE, YUTAKA;TAKAHASHI, SHUHEI;MIWA, TOSHIHIRO
分类号 H01L21/304;B24B37/00 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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