| 发明名称 | 一种芯片失效分析方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种芯片失效分析方法，用于检测芯片栅极的缺陷特征，其步骤包括：通过机械研磨去除进行失效分析的芯片的衬底和有源区的大部分；通过湿法刻蚀去除芯片残存的衬底和有源区；通过干法刻蚀去除芯片的栅氧层的大部分，保留的部分栅氧层用于保护栅极第一多晶硅层；检测所述第一多晶硅层是否存在缺陷特征。本发明方法可将芯片准确剥离至栅极第一层多晶硅的底部，测得其底部的精确尺寸参数，并可大大提高工作效率，节省时间成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102253325B | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201010181477.6 | 申请日期 | 2010.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 赖李龙;高慧敏;陈宏领 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I;G01R31/311(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种芯片失效分析方法，用于检测芯片栅极的缺陷特征，包括以下步骤： 将进行失效分析的芯片正面朝下用粘合剂粘贴到承载台上； 通过机械研磨去除进行失效分析的芯片的衬底和有源区的大部分； 通过湿法刻蚀去除芯片残存的衬底和有源区； 通过干法刻蚀去除芯片的栅氧层的大部分，保留的部分栅氧层用于保护栅极第一多晶硅层； 检测所述第一多晶硅层是否存在缺陷特征。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||