| 发明名称 | 非易失性存储元件、其制造方法、非易失性存储装置和非易失性存储元件的设计支援方法 | ||
| 摘要 | 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。 | ||
| 申请公布号 | CN103229299A | 申请公布日期 | 2013.07.31 |
| 申请号 | CN201180013542.7 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 早川幸夫;三河巧;二宫健生 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，包括：半导体基板上所形成的第1电极；第2电极；以及夹在所述第1电极和所述第2电极之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层，所述电阻变化层由第1电阻变化层和第2电阻变化层的至少2层构成，所述第1电阻变化层的第1面与所述第1电极连接，所述第1电阻变化层的第2面与所述第2电阻变化层的第1面连接，所述第1电阻变化层由第1过渡金属氧化物构成，所述第2电阻变化层由第2过渡金属氧化物和第1过渡金属化合物构成，所述第2过渡金属氧化物的氧含有率比所述第1过渡金属氧化物的氧含有率低，所述第1过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，且与所述第1电阻变化层的所述第2面的至少一部分相接，所述第2过渡金属氧化物与所述第1电阻变化层的所述第2面的其余部分相接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||