LED芯片工艺集成系统及其处理方法

摘要

本发明提供了LED芯片工艺集成系统及其处理方法，所述工艺集成系统包括：装载卸载装置，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的LED基板；真空传输装置，用于提供真空传输环境以传输所述待处理的或处理完毕的LED基板；至少一个外延层沉积腔室，位于所述真空传输装置周沿，所述外延层沉积腔室用于对所述待处理的LED基板进行外延层沉积；至少一个预处理腔室，用于对所述待处理的或处理完毕的LED基板进行预处理。本发明提高了LED基板的外延层沉积工艺的生产效率，提高了LED芯片的生产效率和LED芯片的产量，降低了LED芯片的成本，提高了外延层沉积腔室的使用寿命和利用率。

主权项

一种LED芯片工艺集成系统，包括：装载卸载装置，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的LED基板；真空传输装置，用于提供真空传输环境以传输所述待处理的或处理完毕的LED基板；其特征在于，还包括：至少一个外延层沉积腔室，位于所述真空传输装置周沿，所述外延层沉积腔室用于对所述待处理的LED基板进行外延层沉积；至少一个预处理腔室，用于对所述待处理的或处理完毕的LED基板进行预处理；其中，所述预处理腔室设置有加热台，所述加热台用于对LED基板进行加热处理，使得所述LED基板从第一温度升至第二温度；所述预处理腔室设置有至少一个进风口和至少一个出风口，所述进风口用于通入还原性气体或保护性气体的中的一种或多种，所述还原性气体或保护性气体用于对LED基板进行清洁处理；所述预处理腔室设置有温控装置，所述温控装置用于控制所述加热台在5～15分钟内将所述LED基板从所述第一温度加热至所述第二温度，且使所述LED基板保持所述第二温度1～25分钟；在所述LED基板保持所述第二温度时，所述进风口用于通入所述还原性气体或保护性气体的一种或多种。