发明名称 接合体、功率半导体装置及它们的制造方法
摘要 本发明提供一种接合体、功率半导体装置及它们的制造方法。首先,在第1金属板(101)中的接合部形成区域之上布置包含氧化膜去除剂的水溶液(103)。接下来,在配置了水溶液(103)的状态下,将第2金属板(102)载置于第1金属板(101)之上。然后,从上下方向对第1金属板(101)和第2金属板(102)彼此的接合部形成区域施加载荷,从而将第1金属板(101)和第2金属板(102)相互接合来形成接合部(110),并制造接合体。
申请公布号 CN103228394A 申请公布日期 2013.07.31
申请号 CN201280003849.3 申请日期 2012.08.08
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 南尾匡纪;笹冈达雄
分类号 B23K20/00(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 B23K20/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种接合体的制造方法,其中,在由金属构成的第1被接合部件的接合部形成区域之上配置了包含氧化膜去除剂的溶液之后,将由金属构成的第2被接合部件载置于所述第1被接合部件之上,通过向所述第1被接合部件的接合部形成区域施加载荷,从而将所述第1被接合部件和所述第2被接合部件相互接合来制造接合体。
地址 日本大阪府