发明名称 |
制造SIC基陶瓷多孔体的方法 |
摘要 |
本发明涉及由细SiC粒子级分和尺寸较大的SiC粒子级分通过高温焙烧和烧结制造SiC基多孔耐火陶瓷产品的方法,所述方法的特征在于,在高温焙烧和烧结之前的步骤中,使较细的SiC粒子附聚,而在第二步骤中,将由此获得的粒子添加到包括具有较大尺寸的粒子的SiC粉末中。本发明还涉及通过所述方法获得的基本CC形式的再结晶的SiC多孔体,特别是用于机动车用途的颗粒过滤器。 |
申请公布号 |
CN101646635B |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN200880003415.7 |
申请日期 |
2008.01.28 |
申请人 |
欧洲技术研究圣戈班中心 |
发明人 |
Y·M·L·鲍桑特-劳克斯;A·-M·波帕;S·D·哈特兰;J·莫斯比;S·V·维尔肯 |
分类号 |
C04B35/573(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/573(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
段家荣;林森 |
主权项 |
以SiC精细粒子级分和更大尺寸的SiC粒子级分为原料,通过高温焙烧和烧结制造基于SiC的多孔耐火陶瓷产品的方法,所述方法的特征在于,在为1600℃至2400℃的高温焙烧和烧结之前的步骤中,使中值直径小于20微米的最细SiC粒子附聚以形成其平均尺寸为5至500微米的细粒,然后在第二步骤中,将由此获得的细粒添加到具有尺寸更大的粒子的SiC粉末中,该具有尺寸更大的粒子的SiC粉末的粒子的中值直径为5至50微米。 |
地址 |
法国库伯瓦 |