| 发明名称 | 具有接触刻蚀停止层的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有接触刻蚀停止层的半导体器件的形成方法，包括步骤：提供已形成至少一个栅极结构的衬底；将所述衬底放入沉积室内进行接触刻蚀停止层的沉积；原位对所述接触刻蚀停止层进行氧化处理，在所述接触刻蚀停止层表面形成氧化薄膜；取出已形成氧化薄膜后的所述衬底；利用高密度等离子体化学气相沉积设备在所述氧化薄膜上形成层间介质层。本发明还公开了一种相应的具有接触刻蚀停止层的半导体器件。本发明的具有接触刻蚀停止层的半导体器件及其形成方法，可以有效地防止在沉积层间介质层步骤中因使用高密度、大功率等离子体而对栅氧化层造成损伤，避免了器件性能漂移及器件可靠性变差等现象的出现。 | ||
| 申请公布号 | CN101740498B | 申请公布日期 | 2013.07.24 |
| 申请号 | CN200810227173.1 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 徐强;吴永玉;李敏 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 董立闽;李丽 |
| 主权项 | 一种具有接触刻蚀停止层的半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成至少一个栅极结构的衬底，栅极结构两侧形成有源/漏区；将所述衬底放入沉积室内进行接触刻蚀停止层的沉积；维持衬底在沉积室内不动，原位对所述接触刻蚀停止层进行氧化处理，在所述接触刻蚀停止层表面形成氧化薄膜；取出已形成氧化薄膜后的所述衬底；利用高密度等离子体化学气相沉积设备在所述氧化薄膜上形成层间介质层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||