集成电路、双端口静态随机存取存储器单元及半导体架构

摘要

一种集成电路、双端口静态随机存取存储器单元以及半导体架构集成电路。该集成电路包括第一晶体管与第二晶体管。该第一晶体管包括具有第一源极与第一漏极的第一有源区，以及位于该第一有源区上方的第一栅极电极。该第二晶体管包括具有第二源极与第二漏极的第二有源区，以及位于该第二有源区上方且与该第一栅极电极连接的第二栅极电极。该第一源极与该第二源极相互电性耦接，而该第一漏极与该第二漏极相互电性耦接。根据本发明的两个下拉晶体管相互连接而当作单一下拉晶体管。若有需要，可连接三个或更多下拉晶体管以当作单一下拉晶体管，如此将可使电流更为均匀分散，特别是对于具有高驱动电流的金属氧化物半导体装置。

主权项

一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：第一下拉晶体管，其还包括：第一有源区，其包括第一源极与第一漏极；以及第一栅极电极，其位于所述第一有源区上方；第二下拉晶体管，其还包括：第二有源区，其包括第二源极与第二漏极；以及第二栅极电极，其位于所述第二有源区上方且与所述第一栅极电极连接；以及传输栅极晶体管，其还包括：该第一有源区，以及栅极多晶硅，其位于该第一有源区上方，其中，所述第一源极与所述第二源极相互电性耦接，而所述第一漏极与所述第二漏极相互电性耦接，并且该第二有源区延伸超出该栅极多晶硅，且该第二有源区与该栅极多晶硅形成一虚置晶体管，且第一有源区的宽度相当一致。