发明名称 |
一种低衰减发光二极管 |
摘要 |
本发明的低衰减发光二极管包括顶部具有凹槽的支架,在支架的凹槽中固定有芯片,芯片上覆盖包覆层,包覆层上覆盖荧光转化层,在荧光转化层上覆盖一层配光体。该发光二极管的封装结构采用包覆层覆盖芯片,可减小芯片对荧光转化层的光热影响,延缓光衰减并降低颜色漂移的幅度;荧光转化层缩短了荧光粉的运动路径,可以有效防止荧光粉沉降不均。本发明解决了目前LED封装中光衰大,光斑不均匀、入Bin率低等问题。 |
申请公布号 |
CN103219453A |
申请公布日期 |
2013.07.24 |
申请号 |
CN201310114692.8 |
申请日期 |
2013.04.03 |
申请人 |
杭州杭科光电股份有限公司 |
发明人 |
严钱军;高康 |
分类号 |
H01L33/56(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/56(2010.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
一种低衰减发光二极管,其特征在于包括顶部具有凹槽的支架(2),在支架的凹槽中固定有芯片(1),芯片(1)上覆盖包覆层(3),包覆层(3)上覆盖荧光转化层(4),在荧光转化层(4)外连同支架的上部包裹一层配光体(5),或者在荧光转化层(4)上覆盖一层配光体(5)。 |
地址 |
310011 浙江省杭州市登云路425号利尔达大厦5楼 |