Planares oder rohrförmiges Sputtertarget sowie Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Planare oder rohrförmige Sputtertargets aus einer Silberbasislegierung mit mindestens einer weiteren Legierungskomponente ausgewählt aus Indium, Zinn, Antimon und Wismut mit einem Gewichtsanteil von zusammen 0,01 bis 5,0 Gew.-% sind bekannt. Beim Übergang immer größerer Targets zeigen sich jedoch Funkenentladungen, die insbesondere bei der Herstellung großer und hochlauflösender Displays mit vergleichsweise kleinen Pixeln häufig zu Ausfällen führen. Um ein großflächiges Sputtertarget auf Basis einer derartigen Silber-Legierung bereitzustellen, das als planares Sputtertarget eine Fläche von mehr als 0,3 m2 und als rohrförmiges Sputtertargets eine Länge von mindestens 1,0 m hat, und bei dem die Gefahr von Funkenentladungen verringert und damit ein Sputterprozess mit vergleichsweise hoher Leistungsdichte möglich ist, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Silberbasislegierung ein Kristallgefüge mit einer mittleren Korngröße von weniger als 120 μm, einen Sauerstoffgehalt von weniger als 50 mg/kg, einen Gehalt an Verunreinigungselementen von Aluminium, Lithium, Natrium, Calcium, Magnesium, Barium und Chrom von jeweils weniger als 0,5 mg/kg, und eine metallische Reinheit von mindestens 99,99 Gew.-% aufweist.