| 发明名称 | 发光器件封装 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件封装。该发光器件封装包括：发光器件；主体，包括电连接至所述发光器件的第一和第二引线框，且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部；以及树脂材料，填充所述凹部且包括具有乙烯基(-CH＝CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si-H)的辅材。在所述树脂材料中，所述乙烯基和所述硅烷基通过固化彼此交联。根据FT-IR信号，未与所述乙烯基(-CH＝CH2)反应的硅烷基(Si-H)的光密度(吸光度)在0.0002到0.0l(任意单位)的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN103208580A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310010332.3 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 权知娜 |
| 分类号 | H01L33/56(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;G09F9/35(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/56(2010.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;李玉锁 |
| 主权项 | 一种发光器件封装，包括：光源单元；主体，包括电连接至所述光源单元的第一和第二引线框，且具有形成在所述第一和第二引线框上的凹部；以及树脂材料，设置在所述凹部中且包括具有乙烯基(‑CH＝CH2)的主材和具有多个硅烷基(Si‑H)的辅材，其中所述乙烯基(‑CH＝CH2)和所述硅烷基(Si‑H)彼此键合，其中用于所述多个硅烷基(Si‑H)中未与所述乙烯基(‑CH＝CH2)反应的硅烷基(Si‑H)的傅里叶变换红外光谱FT‑IR信号的光密度(吸光度)在0.0002到0.01(任意单位)的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||