发明名称 |
形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法 |
摘要 |
在用于形成焊接掩模的方法中,将光致成像墨涂敷到载体膜上,以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干,以形成光致成像抗蚀剂层,由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧,以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层;硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。 |
申请公布号 |
CN103207524A |
申请公布日期 |
2013.07.17 |
申请号 |
CN201310078720.5 |
申请日期 |
2004.03.23 |
申请人 |
太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社 |
发明人 |
阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H05K3/28(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种形成焊接掩模的方法,包括:将液体光致成像墨涂敷到载体膜上,以在所述载体膜上形成液体光致成像墨层;使所述液体光致成像墨层变干,以形成包含多个分开的光致成像抗蚀剂层部分的光致成像抗蚀剂层,由此形成包含多个光致成像抗蚀剂层承载膜部分的至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜,所述光致成像抗蚀剂层承载膜部分中的每一个在其上承载至少一个所述光致成像抗蚀剂层部分;将所述光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧,以使所述光致成像抗蚀剂层的上表面与所述衬底接触;通过所述载体膜曝光所述光致成像抗蚀剂层,以形成曝光的抗蚀剂层;从所述曝光的抗蚀剂层去除所述载体膜;显影所述曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层;硬化所述显影的抗蚀剂层以在所述衬底上形成焊接掩模;以及在将所述光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到所述衬底的至少一侧之前,将所述光致成像抗蚀剂层承载膜切割成多个所述光致成像抗蚀剂层承载膜部分,以使所述光致成像抗蚀剂层承载膜部分中的每一个在其上承载所述分开的光致成像抗蚀剂层部分中的至少一个。 |
地址 |
美国内华达 |