发明名称 |
一种半导体面发射激光器及其制备方法和应用 |
摘要 |
本发明涉及半导体面发射激光器及其制备方法和应用,有源层采用应变五量子阱,下分布式布拉格反射镜DBR层采用二元N型AlAs/GaAs对,上分布式布拉格反射镜DBR层仍采用常规三元N型Al0.92Ga0.08As/Al0.12Ga0.88As的DBR,有源层下面几对采用类似结构,顶部利用高导热层AlN层,台面两侧和台上设置覆盖铜层,氧化孔尺寸约18μm,利用bcb层降低器件的电容,制备方法通过改进工艺步骤,提高面发射激光器的整体散热水平;有效解决较大功率面发射激光器散热问题,把面发射激光器功率提高一个量级,使面发射激光器在材料特性上改善,提高工作寿命和工作可靠性,实现1-3km内自由空间通信。 |
申请公布号 |
CN103208741A |
申请公布日期 |
2013.07.17 |
申请号 |
CN201310104299.0 |
申请日期 |
2013.03.28 |
申请人 |
武汉电信器件有限公司 |
发明人 |
汤宝;余向红;岳爱文;王任凡 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 |
代理人 |
朱振德 |
主权项 |
一种半导体面发射激光器,其特征在于:包括顺次连接的衬底层(1)、缓冲层(2)、下分布式布拉格反射镜DBR层(6)、下分布式布拉格反射镜DBR层的上部层(7)、有源层(9)、氧化的电流限制层(10)和上分布式布拉格反射镜DBR层(8);所述缓冲层(2)上设有N型电极(4),所述上分布式布拉格反射镜DBR层(8)上设有P型电极(12);所述氧化的电流限制层(10)上设有出光孔(11);所述下分布式布拉格反射镜DBR层(6)采用二元N型AlAs/GaAs对。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 |