集成电路阻挡层和集成电路结构的制备方法

摘要

本发明提供一种集成电路阻挡层和集成电路结构的制备方法，该集成电路结构的制备方法包含形成第一介电层于包含第一导电层的基板上，形成第二介电层于第一介电层上，形成孔洞于第二介电层中且孔洞暴露第一导电层，形成阻挡层于孔洞内，以及形成第二金属层于阻挡层上。形成阻挡层的一实施例包含形成金属层于孔洞内，以及在包含等离子体的环境中进行处理工艺以形成氧化金属层于金属层上，其中等离子体由包含氧化剂的气体形成。形成阻挡层的另一实施例包含形成金属层及氮化金属层于孔洞内，以及在包含等离子体的环境中进行处理工艺以形成氧化金属层于金属层及氮化金属层上，其中等离子体由包含氧化剂的气体形成。本发明可提供有效的铜扩散阻障能力。

主权项

一种集成电路阻挡层的制备方法，包含如下步骤：形成一第一金属层于一基板上；形成一氮化金属层于该第一金属层之上；于一等离子体环境中进行一处理工艺，以形成第一氧化金属层于该第一金属层与该氮化金属层之间；以及于该等离子体环境中进行一处理工艺，以形成第二氧化金属层于该氮化金属层上；其中该等离子体是由包含氧化剂的气体形成，且在形成该第二氧化金属层于该氮化金属层上的步骤之后该氮化金属层中包含氧原子。