发明名称 一种多路接触式密钥IC卡读写装置
摘要 本发明公开了一种多路接触式密钥IC卡读写装置,包括数据发送电路和数据接收电路,数据发送电路包括第一MOS场效应管、第二MOS场效应管、第一上拉电阻和n个并联的通道选通电路,数据接收电路包括第四MOS场效应管、第三上拉电阻和n个锗二极管。本发明装置接入微处理器时,微处理器可以通过设置I/O脚控制相应的密钥IC卡进行复位以及选择相应的密钥IC卡通道,通过串行通信接口实现对IC卡的读写。本发明可降低多路密钥IC卡的接入成本,简化微处理器读写IC卡的程序,提升读写装置处理效率。
申请公布号 CN103198339A 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201310084151.5 申请日期 2013.03.18
申请人 东南大学 发明人 张宁;何铁军
分类号 G06K17/00(2006.01)I 主分类号 G06K17/00(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种多路接触式密钥IC卡读写装置,其特征在于,该装置包括数据发送电路(1)和数据接收电路(2),所述数据发送电路(1)包括第一MOS场效应管(11)、第二MOS场效应管(12)、第一上拉电阻(13)和n个并联的通道选通电路(14),所述第一MOS场效应管(11)的源极接地,漏极接第一上拉电阻(13)和第二MOS场效应管(12)的栅极,所述第二MOS场效应管(12)的源极接地,漏极与n个并联的通道选通电路(14)的公共端连接,所述通道选通电路(14)包括第三MOS场效应管(141)和第二上拉电阻(142),所述第三MOS场效应管(141)的漏极与第二上拉电阻(142)连接,n个第三MOS场效应管(141)的源极连接成公共端;所述数据接收电路(2)包括第四MOS场效应管(21)、第三上拉电阻(22)和n个锗二极管(23),所述第四MOS场效应管(21)的漏极与第三上拉电阻(22)连接,n个锗二极管(23)的负极与第四MOS场效应管(21)的源极连接,n个锗二极管(23)与n个通道选通电路(14)一一对应,锗二极管(23)的正极与第三MOS场效应管(141)的漏极连接,第一MOS场效应管(11)的栅极和第四MOS场效应管(21)的栅极连接。
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