发明名称 液体排出头用基板的制造方法
摘要 一种液体排出头用基板的制造方法,该基板是具有第一面和与第一面相反的第二面的硅基板,该制造方法包括如下步骤:在硅基板的第二面上提供如下的层:当暴露于硅的蚀刻剂时,该层具有比硅的蚀刻速率低的蚀刻速率;部分地去除该层,以使硅基板的第二面的一部分露出,其中,露出部分包围该层的至少一部分;以及使用硅的蚀刻剂对该层和硅基板的第二面的所述露出部分进行湿法蚀刻,以形成从硅基板的第二面延伸到第一面的液体供给口。
申请公布号 CN101817257B 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201010122999.9 申请日期 2010.02.25
申请人 佳能株式会社 发明人 松本圭司;小山修司;阿保弘幸;渡边启治
分类号 B41J2/16(2006.01)I 主分类号 B41J2/16(2006.01)I
代理机构 北京魏启学律师事务所 11398 代理人 魏启学
主权项 一种液体排出头基板的制造方法,所述液体排出头基板包括:硅基板,其具有第一面,所述第一面设置有用于产生排出液体用的能量的元件;以及供给口,其贯通所述硅基板,并且用于向所述元件供给液体,所述制造方法包括:提供所述硅基板,其中,所述硅基板具有与所述第一面相反的第二面,在所述第二面上形成有如下的层:硅的蚀刻剂对所述层的蚀刻速率比所述蚀刻剂对硅的蚀刻速率低;形成贯通所述层且朝向所述硅基板凹陷的槽,其中,当从所述第二面观察所述硅基板时,所述槽是框形状,所述框形状用于将所述层的一部分包围在所述框形状的内侧;以及通过使用所述蚀刻剂从所述槽向所述第一面对所述硅基板进行湿法蚀刻,在所述硅基板中形成所述供给口。
地址 日本东京大田区下丸子3丁目30番2号