记忆体单元及相关记忆体装置

摘要

本发明是有关于一种记忆体单元，其包括一对子单元。每一子单元包括一接入晶体管、一储存晶体管以及一隔离晶体管，其依序借由连接源极/漏极而串联耦接在一起。隔离晶体管是共享使用于一邻近记忆体单元的子单元，且是一直关闭的，其中储存晶体管是一直导通的。字符线(wordline)耦接至每一子单元的接入晶体管的栅极，而互补位线(complementary bit l ines)分别耦接至该对子单元的接入晶体管的源极/漏极，因此借由接入晶体管，可于相应的位线与储存晶体管之间存取数据位。

主权项

一种记忆体单元，其特征在于包含：一对子单元，每一该子单元包括：一接入晶体管；一储存晶体管，其栅极是耦接至一接地端；以及一隔离晶体管，其栅极是耦接至一电源，该接入晶体管、该储存晶体管及该隔离晶体管依序借由连接源极/漏极而串联耦接在一起，且未与该对子单元储存晶体管连接的该对子单元隔离晶体管的源极/漏极是分别耦接于邻近一记忆体单元的一对子单元的储存晶体管，其中，每一该子单元系共享使用该隔离晶体管，且该隔离晶体管是一直关闭的，且该储存晶体管是一直导通的；一字符线，耦接至每一该子单元的接入晶体管的一栅极；及二互补的位线，其分别耦接至该对子单元的接入晶体管的源极/漏极，且未与该对子单元储存晶体管连接的该对子单元接入晶体管的源极/漏极是分别耦接至该些互补的位线，因此借由该接入晶体管，可于相应的该位线与该储存晶体管之间存取数据位，其中互补数据位元是分别储存于该对子单元的储存晶体管中；其中该接入晶体管、该储存晶体管以及该隔离晶体管是为P型或N型金属氧化物半导体晶体管。