| 发明名称 | 发光器件和制造发光器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件和制造发光器件的方法。所述发光器件包括：支撑衬底；支撑衬底上方的平面层；平面层上方的晶片结合层；晶片结合层上方的电流扩展层；电流扩展层上方的第二导电半导体层；第二导电半导体层上方的有源层；有源层上方的第一导电半导体层；第一导电半导体层上方的第一电极层；以及电流扩展层上方的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN102017200B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN200980114626.2 | 申请日期 | 2009.04.23 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 宋俊午 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：支撑衬底；所述支撑衬底上方的平面层；所述平面层上方的晶片结合层；所述晶片结合层上方的电流扩展层；所述电流扩展层上方的第二导电半导体层；在所述第二导电半导体层和所述电流扩展层之间的超晶格结构层，所述超晶格结构层用于相对于所述第二导电半导体层形成欧姆接触界面；所述第二导电半导体层上方的有源层；所述有源层上方的第一导电半导体层；所述第一导电半导体层上方的第一电极层；以及所述电流扩展层上方的第二电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||