发明名称 |
一种磷锗锌单晶体的生长装置与方法 |
摘要 |
本发明公开了一种磷锗锌单晶体的生长装置与方法。该装置包括生长炉,石英坩埚及坩埚托,还包括填充在石英坩埚与坩埚托之间的保温粉料,石英坩埚内设有生长安瓿,坩埚托置于基座上。该装置通过将生长安瓿的籽晶端至于磷锗锌多晶料中,使得单晶成核率显著提升,同时籽晶端的温度相对稳定,保证在成核初期获得完整的单向的籽晶,同时内外套管的设计可以承受磷锗锌单晶生长时较高的分解压以及有效地促进生长时形成较为平坦的固液界面,从而保证生长的磷锗锌单晶完整无裂纹,且成功率较高。 |
申请公布号 |
CN103194790A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201310115730.1 |
申请日期 |
2013.04.03 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
王彪;申亮;吴东 |
分类号 |
C30B11/06(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/06(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
张玲春 |
主权项 |
一种磷锗锌单晶体的生长装置,包括生长炉,坩埚托与石英坩埚,其特征在于:其还包括填充在所述坩埚托与所述石英坩埚之间的保温粉料;所述石英坩埚内设有生长安瓿;所述坩埚托置于基座上。 |
地址 |
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号中山大学,物理科学与工程技术学院 |