发明名称 |
沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法。该方法包括:在衬底上形成第一外延层;在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层;通过合并外延层横向过生长在所述多个沟槽底部氧化层的上部生长出第二外延层;根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻,形成沟槽MOSFET的多个沟槽。采用本发明的制造方法,可以降低沟槽金属氧化物半导体场效应管的工艺制造成本,同时提高每一层的质量和纯度。 |
申请公布号 |
CN102347278B |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201110207286.7 |
申请日期 |
2011.07.22 |
申请人 |
凹凸电子(武汉)有限公司 |
发明人 |
汉密尔顿·卢;拉兹洛·利普赛依 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
陈桂香;武玉琴 |
主权项 |
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管MOSFET的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:在衬底上形成第一外延层;在所述第一外延层上部的多个沟槽区域内形成多个沟槽底部氧化层;在所述多个沟槽区域内沉积多晶薄膜,从而在所述多个沟槽底部氧化层的上部形成多晶硅层,以在所述多个沟槽底部氧化层的上部作为覆盖层;在形成所述多晶硅层后,通过合并外延层横向过生长在所述多晶硅层的上部生长出第二外延层;根据所述多个沟槽底部氧化层的位置对所述第二外延层的局部进行具有终点模式的等离子干法蚀刻,形成沟槽MOSFET的多个沟槽。 |
地址 |
430074 武汉市珞瑜路716号华乐商务中心806室 |