发明名称 一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构
摘要 一种RF-CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构,属于光通信物理层集成电路领域,包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区、第六版图区、第七版图区、第八版图区、第九版图区、第十版图区、第十一版图区、第十二版图区、第十三版图区、第十四版图区、第十五版图区、第十六版图区、第十七版图区和第十八版图区。版图主要分为上、中上、中、中下、下和四周六部分。本实用新型通过对芯片版图的合理布局和各版图区的合理设计,更好地实现了基于RF-CMOS工艺的宽带光通信跨阻放大器的低噪声、高带宽等电路功能。
申请公布号 CN203057079U 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201220622498.1 申请日期 2012.11.22
申请人 嘉兴泰鼎光电集成电路有限公司 发明人 莫太山;唐思敏
分类号 H03F3/08(2006.01)I 主分类号 H03F3/08(2006.01)I
代理机构 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人 吴秉中;陶圣如
主权项 一种RF‑CMOS工艺的光通信跨阻放大器的版图结构,其特征在于,包括第一版图区(001)、第二版图区(002)、第三版图区(003)、第四版图区(004)、第五版图区(005)、第六版图区(006)、第七版图区(007)、第八版图区(008)、第九版图区(009)、第十版图区(010)、第十一版图区(011)、第十二版图区(012)、第十三版图区(013)、第十四版图区(014)、第十五版图区(015)、第十六版图区(016)、第十七版图区(017)和第十八版图区(018);所述第十七版图区(017)、第十五版图区(015)、第十二版图区(012)和第十一版图区(011)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的上部;所述第九版图区(009)、第十版图区(010)、第三版图区(003)和第一版图区(001)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中上部;所述第八版图区(008)位于所述跨阻放大器版图结构的中部;所述第十四版图区(014)、第六版图区(006)和第七版图区(007)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的中下部;所述第十六版图区(016)、第十三版图区(013)、第五版图区(005)、第四版图区(004)和第二版图区(002)依次相连位于所述跨阻放大器版图结构的下部;所述第十八版图区(018)位于所述跨阻放大器版图结构的四周。
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