| 发明名称 | 一种用于等离子体处理装置的气体喷淋头 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。本发明还提供了包含上述气体喷淋头的等离子体处理装置。本发明能够有效改善基片制程均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN103198993A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210005091.9 | 申请日期 | 2012.01.09 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 陶铮;松尾裕史;曹雪操 |
| 分类号 | H01J37/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||