| 发明名称 | 采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造 | ||
| 摘要 | 提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去除伪栅极；以及然后在晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换伪栅极。本发明提供了采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103199062A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210133069.2 | 申请日期 | 2012.04.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯俊宏;陈志辉;王世维 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括晶体管器件区和隔离区；在所述晶体管器件区上方形成伪栅极以及在所述隔离区上方形成电阻器；用掺杂剂注入所述电阻器；湿法蚀刻所述伪栅极以去除所述伪栅极；以及在所述晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换所述伪栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||