| 摘要 |
<p>Verfahren, bei dem ein hermetisch lösungsmittelfrei verkapseltes elektrisches Bauelement hergestellt wird, mit den Verfahrensschritten: A) ein auf einem Chip (1) aufgebautes Bauelement mit Metallisierungen wird auf einem Substrat (25), das elektrische Anschlußflächen (20) aufweist, befestigt, wobei die Bauelementstrukturen (5) tragende Oberfläche des Chips (1) zum Substrat (25) weist und Bump-Verbindungen (10), die die Metallisierungen mit den Anschlußflächen elektrisch verbinden, den Chip im lichten Abstand zum Substrat fixieren, B) ein Material (35) wird so aufgebracht, daß es zumindest die Unterkante des Chips und an den Chip angrenzende Bereiche des Substrats abdeckt, C) eine erste durchgehende, Metallschicht (40) wird auf die Rückseite des Chips, auf das Material (35) und auf an das Material angrenzende Randbereiche des Substrats, aufgebracht, D) eine zweite, hermetisch abschließende Metallschicht (45) wird zumindest auf den Bereichen der ersten Metallschicht (40), die das Material (35) bedecken, mittels eines Lösungsmittel-freien Prozesses aufgebracht, wobei Metallpartikel aufgebracht und dann aufgeschmolzen werden.</p> |
