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Das Verfahren dient zur Herstellung eines SiC-Volumeneinkristalls mittels Sublimationszüchtung. Vor dem Züchtungsbeginn wird in einem Kristallwachstumsbereich (5) eines Züchtungstiegels (3) ein SiC-Keimkristall (8) angeordnet. In einen SiC-Vorratsbereich des Züchtungstiegels (3) wird pulverförmiges SiC-Quellmaterial eingebracht. Während der Züchtung wird mittels Sublimation des pulverförmigen SiC-Quellmaterials und mittels Transport der sublimierten gasförmigen Komponenten in den Kristallwachstumsbereich (5) dort eine SiC-Wachstumsgasphase erzeugt. Der eine zentrale Mittenlängsachse (14) aufweisende SiC-Volumeneinkristall wächst mittels Abscheidung aus der SiC-Wachstumsgasphase auf dem SiC-Keimkristall (8) auf. Der SiC-Keimkristall (8) wird während einer Aufheizphase vor dem Züchtungsbeginn so verbogen, dass sich eine SiC-Kristallstruktur mit einem inhomogenen Verlauf von Netzebenen einstellt, wobei die Netzebenen an jeder Stelle einen Neigungswinkel gegenüber der Richtung der Mittenlängsachse (14) haben, und sich periphere Neigungswinkel an einem radialen Rand des SiC-Keimkristalls (8) betragsmäßig um mindestens 0,05° und um höchstens 0,2° von einem zentralen Neigungswinkel am Ort der zentralen Mittenlängsachse (14) unterscheiden. Die SiC-Kristallstruktur mit dem inhomogenen Netzebenenverlauf wird während der Züchtung von dem SiC-Keimkristall (8) in den aufwachsenden SiC-Volumeneinkristall (2) fortgepflanzt. |
