| 发明名称 | 一种双层多晶硅栅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双层多晶硅栅的制造方法。所述制造方法包括：在所述待处理集成电路的氧化硅上淀积氮化硅；各向异性刻蚀所述氮化硅，在所述待处理集成电路的第一层多晶硅栅侧壁形成氮化硅侧墙；制作第二层多晶硅栅；以及漂洗所述氮化硅侧墙。 | ||
| 申请公布号 | CN103187254A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110448357.2 | 申请日期 | 2011.12.28 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 潘光燃 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种双层多晶硅栅的制造方法，应用于一待处理集成电路，其特征在于，所述制造方法包括：在所述待处理集成电路的氧化硅上淀积氮化硅；各向异性刻蚀所述氮化硅，在所述待处理集成电路的第一层多晶硅栅侧壁形成氮化硅侧墙；制作第二层多晶硅栅；以及漂洗所述氮化硅侧墙。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||