| 发明名称 | 电介质薄膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够形成具有（100）/（001）取向的PZT薄膜的电介质薄膜的成膜方法。使PbO气体附着在衬底的表面形成种子层后，一边在已抽真空的真空槽内对衬底进行加热一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在衬底的表面上形成PZT薄膜。由种子层提供Pb和O，得到在PZT薄膜上不发生Pb缺损的、具有（001）/（100）取向的PZT膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103189968A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201180053170.0 | 申请日期 | 2011.10.03 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 木村勋;神保武人;小林宏树;远藤洋平;大西洋平 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C01G21/06(2006.01)I;C01G25/00(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧霁晨;刘春元 |
| 主权项 | 一种电介质薄膜的成膜方法，具有在已抽真空的真空槽内一边加热衬底一边对锆钛酸铅（PZT）靶施加电压进行溅射，在所述衬底的表面形成PZT薄膜的成膜工序，其特征在于，在所述成膜工序之前具有使PbO气体附着于所述衬底的表面以形成种子层的种子层形成工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||