发明名称 |
半导体发光器件和发光二极管模块 |
摘要 |
本发明涉及半导体发光器件和发光二极管模块。所述半导体发光器件包括半导体层压板,所述半导体层压板包括第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层以及在它们之间形成的有源层,并且将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域。在所述第一区域上形成至少一个接触孔并且所述接触孔穿过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分。形成第一电极以通过所述至少一个接触孔连接至所述第一区域的第一导电类型半导体层并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层。形成第二电极并将其连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层。形成第一电极焊盘和第二电极焊盘以及支撑衬底。 |
申请公布号 |
CN103187425A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201210580141.6 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
申永澈;高炯德 |
分类号 |
H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I |
主分类号 |
H01L27/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
陈源;张帆 |
主权项 |
一种半导体发光器件,其包括:半导体层压板,其具有第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层,以及在所述第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间布置的有源层,并且通过分离沟槽将所述半导体层压板分成第一区域和第二区域;至少一个接触孔,其从所述第一区域的第二导电类型半导体层的底面通过所述有源层连接至所述第一导电类型半导体层的一部分;第一电极,其形成在所述第二导电类型半导体层的底面上、通过所述至少一个接触孔延伸至所述第一区域的第一导电类型半导体层、并且连接至所述第二区域的第二导电类型半导体层;第二电极,其形成在所述第一区域的第二导电类型半导体层的底面上并且连接至所述第一区域的第二导电类型半导体层;第一电极焊盘,其电连接至所述第二区域的第一导电类型半导体层;第二电极焊盘,其电连接至所述第二电极;以及具有导电性的支撑衬底,其形成在所述第二导电类型半导体层的底面上,从而电连接至所述第一电极。 |
地址 |
韩国京畿道 |