| 发明名称 | 半导体存储器测试方法和半导体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体存储器测试方法和半导体存储器。通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试，直到出现被做出擦除完成的确定的组为止。基于在检测到首先被做出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。 | ||
| 申请公布号 | CN103187102A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201210530440.9 | 申请日期 | 2012.12.10 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 森郁;柳下良昌;青木一 |
| 分类号 | G11C29/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李晓冬 |
| 主权项 | 一种半导体存储器测试方法，包括：通过将擦除脉冲施加到存储单元阵列中包括的并且被分成多个组的存储单元系列来执行第一擦除测试，直到出现被做出擦除完成的确定的组为止；以及基于在检测到首先被做出擦除完成的确定的组时的擦除脉冲数目来对包括所述存储单元系列在内的存储单元的其他系列执行第二擦除测试。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||