| 发明名称 | 鳍式场效应管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种鳍式场效应管，包括：基底；位于所述基底上鳍部，所述鳍部至少包括部分的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述鳍部两侧的基底之间的夹角为钝角。相应的，本发明的实施例还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，其形成工艺简单。本发明实施例在去除鳍部侧墙的时候能够减轻对栅极侧墙的宽度和表面的均匀性的影响，而且，在形成鳍部后通过氧化鳍部形成的栅介质层的厚度均匀，有利于后续在其上形成栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103187445A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110457000.0 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何其旸;孟晓莹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管，包括：基底；鳍部，位于基底上；其特征在于，所述鳍部至少包括部分的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述鳍部两侧的基底之间的夹角为钝角。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||