发明名称 半导体存储器器件和存储器基元电压施加方法
摘要 一种半导体存储器器件包括:多个平行的字线;多个平行的位线,其被形成为与所述多个字线相交;以及多个存储器基元,其被设置在所述字线与所述位线的交叉处。每一个存储器基元使其一端连接到所述字线而另一端连接到所述位线。所述器件还包括驱动电路,其操作为跨过所述字线和所述位线选择性地施加用于数据读取/写入的电压。所述器件还包括读出放大器电路,其被连接到所述多个位线并操作为读取/写入在所述存储器基元中存储的数据。所述器件还包括位线驱动辅助电路,其操作为基于由所述读出放大器电路从所述存储器基元读出的数据而选择性地调整所述多个位线上的电势。
申请公布号 CN101896977B 申请公布日期 2013.07.03
申请号 CN200880119865.2 申请日期 2008.09.09
申请人 株式会社东芝 发明人 井上裕文
分类号 G11C13/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种半导体存储器器件,包括:多个平行的字线;多个平行的位线,其被形成为与所述多个字线相交;多个存储器基元,其被设置在所述字线与所述位线的交叉处,每一个存储器基元的一端连接到所述字线而另一端连接到所述位线;驱动电路,其操作为跨过所述字线和所述位线选择性地施加用于数据读取/写入的电压;读出放大器电路,其被连接到所述多个位线并操作为读取/写入在所述存储器基元中存储的数据;以及位线驱动辅助电路,其操作为在数据写入期间,基于由所述读出放大器电路从所述存储器基元读出的数据和所述字线的布线电阻而选择性地调整所述多个位线上的电势。
地址 日本东京都