| 发明名称 | 一种混合线条的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种混合线条的制造方法，包括：在底层上依次形成材料层和硬掩模层；在所述掩模层上依次形成第一光刻胶层、抗反射层以及第二光刻胶层；使用光学曝光对所述第二光刻胶层曝光并进行显影，形成第一光刻胶图形，并以所述第一光刻胶图形为掩模，对所述抗反射层进行刻蚀，以暴露所述第一光刻胶层；使用电子束曝光对所述第一光刻胶层曝光并进行显影，形成第二光刻胶图形，并以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩模，对所述掩模层刻蚀形成第一硬掩模图形和第二硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀所述材料层，形成第一线条和第二线条。本发明在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103187246A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110459836.4 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐波;闫江 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30)；b)在所述硬掩模层(30)上依次形成第一光刻胶层(40)、抗反射层(50)以及第二光刻胶层(60)；c)使用光学曝光对所述第二光刻胶层(60)曝光并进行显影，形成第一光刻胶图形(60a)，并以所述第一光刻胶图形(60a)为掩模，对所述抗反射层(50)进行刻蚀，以暴露所述第一光刻胶层(40)；d)使用电子束曝光对所述第一光刻胶层(40)曝光并进行显影，形成第二光刻胶图形(40b)，并以所述第一光刻胶图形(60a)和所述第二光刻胶图形(40b)为掩模，对所述掩模层(30)刻蚀形成第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)；e)以所述第一硬掩模图形(50a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模，刻蚀所述材料层(20)，形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||