提高出光效率的LED芯片

摘要

本发明涉及一种提高出光效率的LED芯片，所述提高出光效率的LED芯片，包括衬底，所述衬底上设有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层上设有量子阱、P型氮化镓层及透明导电层，所述N型氮化镓层上设有N打线电极，所述N打线电极与N型氮化镓层电连接；所述透明导电层上设有P打线电极，所述P打线电极通过透明导电层与P型氮化镓层电连接；所述N打线电极下设有N电极反射电极层，所述N电极反射电极层与N型氮化镓层相接触；所述P打线电极下方设有P电极反射电极层，所述P电极反射电极层位于透明导电层下，P电极反射电极层通过透明导电层与P打线电极相隔离。本发明结构简单紧凑，提高出光效率，降低成本，操作方便，稳定可靠。

主权项

一种提高出光效率的LED芯片，包括衬底（1），所述衬底（1）上长有N型氮化镓层（2），所述N型氮化镓层（2）上长有量子阱（3）、P型氮化镓层（8）及透明导电层（4），所述N型氮化镓层（2）上沉积有N打线电极（9），所述N打线电极（9）与N型氮化镓层（2）电连接；所述透明导电层（4）上沉积有P打线电极（6），所述P打线电极（6）通过透明导电层（4）与P型氮化镓层（8）电连接；其特征是： 所述N打线电极（9）下沉积N电极反射电极层（10），所述N电极反射电极层（10）与N型氮化镓层（2）相接触；所述P打线电极（6）下方设有P电极反射电极层（7），所述P电极反射电极层（7）位于透明导电层（4）下方，P电极反射电极层（7）通过透明导电层（4）与P打线电极（6）相隔离；所述N电极反射电极层（10）与所述P电极反射电极层（7）均采用反射金属、ODR或DBR制成；所述N型氮化镓层（2）与N电极反射电极层（10）相对应的表面设有N电极粗化部（11），且所述N电极反射电极层（10）填充覆盖于N电极粗化部（11）；所述N电极粗化部（11）为若干凸设于N型氮化镓层（2）上的N极凸块或若干通过蚀刻N形氮化镓层（2）凹设于N型氮化镓层内的N极凹槽；所述N电极粗化部（11）为N极凹槽时，所述N极凹槽在N型氮化镓层（2）内延伸的深度为0.1~2μm；所述P型氮化镓层（8）与P电极反射电极层（7）相对应的表面设有P电极粗化部（12），且所述P电极反射电极层（7）填充覆盖于P电极粗化部（12）；所述P电极粗化部（12）为若干凸设于P型氮化镓层（8）上的P极凸块或若干通过刻蚀于P型氮化镓层（8）内凹设于P型氮化镓层（8）内的P极凹槽；所述P电极粗化部（12）为P极凹槽时，所述P极凹槽在P型氮化镓层（8）内延伸的深度为0.1~2μm。