半导体装置以及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系关于一种可同时提高视窗特性与滞留特性之半导体装置及半导体装置之制造方法。半导体装置系具有于矽基板上从下而上以通道氧化膜、电荷撷取膜、阻隔氧化膜、闸极电极的顺序所形成之层积构造；阻隔氧化膜系具有设置于电荷撷取膜侧之晶质膜与设置于该晶质膜上层之非晶质膜。