氮化物类半导体发光元件

摘要

提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。

主权项

一种氮化物类半导体发光元件，其特征在于，具备：基板，由六方晶系氮化镓类半导体构成；n型氮化镓类半导体区域，被设置于上述基板的主面上；单一量子阱结构的发光层，被设置于上述n型氮化镓类半导体区域上；以及p型氮化镓类半导体区域，被设置于上述发光层上，上述发光层被设置于上述n型氮化镓类半导体区域与上述p型氮化镓类半导体区域之间，上述发光层包含阱层和势垒层，上述阱层为InGaN，上述主面沿着从与上述六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上且80度以下或100度以上且117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面延伸，上述阱层中所产生的压电极化的方向与从上述p型氮化镓类半导体区域朝向上述n型氮化镓类半导体区域的方向一致。