| 发明名称 |
Flächentransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH341912(A) |
申请公布日期 |
1959.10.31 |
| 申请号 |
CHD341912 |
申请日期 |
1955.07.27 |
| 申请人 |
RAYTHEON MANUFACTURING COMPANY |
发明人 |
PAUL NOWAK,HERMAN |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L21/304;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/73 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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