| 发明名称 | III族氮化物发光器件 | ||
| 摘要 | 一种器件包括衬底(10)和生长在衬底上的III族氮化物结构(15)，该III族氮化物结构包括布置在n型区域(14)和p型区域(18)之间的发光层(16)。该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数。该衬底具有面内晶格常数a衬底。该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层，使得[(|a衬底_-a层|)/a衬底]*100%不大于1%。 | ||
| 申请公布号 | CN103180973A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201180052905.8 | 申请日期 | 2011.10.27 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | M.J.格伦德曼恩;N.F.加德纳;W.K.戈伊茨;M.B.麦克劳林;J.E.埃普勒;F.A.利昂 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/12(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李亚非;汪扬 |
| 主权项 | 一种方法，包括：生长一种生长在衬底上的III族氮化物结构，该III族氮化物结构包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层；将该III族氮化物结构附着到载具；以及移除该衬底，其中：该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数；该衬底具有面内晶格常数a衬底；该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层；以及[(|a衬底‑a层|)/a衬底]*100%不大于1%。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||