发明名称 |
一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括:包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接,焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接;第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰,提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。 |
申请公布号 |
CN102280456B |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110121051.6 |
申请日期 |
2011.05.11 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
马盛林;朱蕴晖;孙新;金玉丰;陈兢;缪旻 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种非制冷红外焦平面阵列探测器集成结构,其特征在于包括第一硅晶圆、第二硅晶圆,所述第一硅晶圆、第二硅晶圆分别具有相对的第一表面和第二表面;所述第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件,所述第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连,所述红外敏感元件阵列通过所述第一硅通孔微互连与对应所述第一电接触元件电连接,所述焊盘通过所述第二硅通孔微互连与对应所述第一电接触元件电连接;所述第二硅晶圆第一表面上设有所述红外敏感元件阵列的信号处理电路和与所述信号处理电路电连接的若干第二电接触元件;所述第一电接触元件与所述第二电接触元件分别对应电连接;所述红外敏感元件阵列通过一重新布线层与所述第一硅通孔微互连电连接;其中,所述红外敏感元件阵列为非制冷红外敏感元件阵列。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |