| 摘要 |
1. Полупроводниковый фотопреобразователь, состоящий из монокристаллических кремниевых пластин с ориентацией в плоскости {100}, с вертикально расположенными на поверхности нитевидными кристаллами с диффузионными коаксиальными р-n переходами, проходящими через свободные от нитевидных кристаллов участки поверхности подложки, соединенными между собой в единую горизонтальную конструкцию металлическими прокладками, с токовыводящими контактами, с одной светоприемной поверхностью с диэлектрическим просветляющим покрытием, отличающийся тем, что нитевидные кристаллы выполнены в виде правильных прямых призм, высота которых превышает оптическую глубину поглощения солнечного излучения в кремнии, а длина ребра основания не превышает диффузионной длины неосновных носителей заряда в кремниевой микроструктуре, причем поверхностную плотность расположения нитевидных кристаллов на подложке выбирают наибольшей.2. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что светоприемная поверхность нитевидных кристаллов текстурирована и покрыта диэлектрическим просветляющим покрытием.3. Фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что монокристаллическая кремниевая пластина имеет кристаллографическую ориентацию {111}.4. Фотопреобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что нитевидные кристаллы выполнены в форме прямых круговых цилиндров, равномерно размещены на подложке и имеют широкий спектр диаметров от 0,1 до 100 мкм.5. Способ изготовления фотопребразователя по п.1, включающий создание на поверхности кремниевой пластины нитевидных кристаллов, легирование донорной и акцепторной примесями, нанесение металлических контакт |
