发明名称 一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法。器件主要由铌酸锂光波导芯片和保偏尾纤组成,其铌酸锂光波导芯片由铌酸锂衬底(1)、表面的条形钛扩散波导区(2)、表面的质子交换区(3)、二氧化硅隔离层(4)及表面的金属电极(5)所组成。调制器的制备方法包括芯片的制备方法和芯片与保偏尾纤的耦合连接方法两部分,给出了芯片的制备方法,主要包括条波导区钛扩散以及在非钛扩散波导区进行退火质子交换等工艺过程。该芯片结构及制备方法能够确保器件同时具有较小的损耗和偏振相关损耗。芯片与尾纤的耦合连接方法保证了器件具有低的偏振串音及其性能指标的温度稳定性。
申请公布号 CN102122086B 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201010622642.7 申请日期 2010.12.29
申请人 北京航天时代光电科技有限公司 发明人 王巍;刘福民;夏君磊;徐宇新;郑国康;黄韬;汪飞琴;李瑞龙
分类号 G02F1/035(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I 主分类号 G02F1/035(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 安丽
主权项 一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器,主要由铌酸锂光波导芯片和耦合在所述芯片上的保偏尾纤(6)组成,其特征在于:所述的铌酸锂光波导芯片由铌酸锂衬底(1)、表面的条形钛扩散波导区(2)、表面的质子交换区(3)、二氧化硅隔离层(4)及表面的金属电极(5)所组成;铌酸锂衬底(1)采用x切y传或z切y传晶片,条形钛扩散波导区(2)和质子交换区(3)位于铌酸锂衬底(1)的表层,质子交换区(3)位于条形钛扩散波导区(2)的两侧;二氧化硅隔离层(4)覆盖在铌酸锂衬底(1)的上面,在二氧化硅隔离层(4)上面形成金属电极(5),金属电极(5)与条形钛扩散波导区(2)严格套准,即当铌酸锂衬底(1)采用x切y传晶片时,器件金属电极(5)的正负极位于条形钛扩散波导区(2)的两侧,当铌酸锂衬底(1)采用z切y传晶片时,器件金属电极(5)的正极或负极需覆盖条形钛扩散波导区(2);保偏尾纤(6)与上述芯片耦合连接,用胶固定在一起。
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