一种清洁晶片背面聚合物的装置和方法

摘要

本发明公开了一种清洁晶片背面聚合物沾污的装置及带有该装置的等离子体刻蚀室，本发明通过在聚焦环内部或下方设置一导电环，并在刻蚀结束后的清洗过程中供以一静电位，提高了所述聚焦环的电势，提高了离子向晶片背面边缘的轰击能量，有效清除了晶片背面的聚合物沾污，本发明所述方案结构简单，成本合理，效果明显。

主权项

一种清洁晶片背面聚合物的装置，其围绕设置于一等离子体刻蚀室中的晶片和支撑所述晶片的基座的外周侧，所述晶片的边缘突出于所述的基座的上表面的边缘，特征在于：所述装置包括：一聚焦环，其围绕设置于所述晶片的外周侧；所述聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至晶片背面的边缘之下；一导电环，其围绕设置于所述基座的外周侧，位于所述聚焦环的下方，所述导电环和所述聚焦环之间设置一绝缘层；一直流电源，可选择地连通到所述导电环，为其提供一静电位。