| 发明名称 | LDNMOS及LDPMOS的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种LDNMOS的制造方法，该方法包括：提供一P型基底；在P型基底中形成浅沟槽隔离STI，所述STI位于要形成的N阱中，且位于要形成的漏区与多晶硅栅极之间；通过离子注入形成P阱；在N阱对应位置表面形成具有间隔的阻挡层，以该阻挡层为遮蔽，进行离子注入形成N阱后去除所述具有间隔的阻挡层；所述具有间隔的阻挡层至少遮蔽N阱和P阱的界面处；在所述P型基底表面对应覆盖部分N阱和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极；在多晶硅栅极两侧的P阱和N阱中分别进行N+掺杂形成源区和漏区。本发明还提供了一种LDPMOS的制造方法。采用本发明能够进一步提高击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103165460A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110425521.8 | 申请日期 | 2011.12.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴永玉;何学缅 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种横向扩散N型金属氧化物半导体晶体管LDNMOS的制造方法，该方法包括：提供一P型基底；在P型基底中形成浅沟槽隔离STI，所述STI位于要形成的N阱中，且位于要形成的漏区与多晶硅栅极之间；通过离子注入形成P阱；在N阱对应位置表面形成具有间隔的阻挡层，以该阻挡层为遮蔽，进行离子注入形成N阱后去除所述具有间隔的阻挡层；所述具有间隔的阻挡层至少遮蔽N阱和P阱的界面处；在所述P型基底表面对应覆盖部分N阱和部分P阱的位置形成栅氧化层和多晶硅栅极；在多晶硅栅极两侧的P阱和N阱中分别进行N+掺杂形成源区和漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||