| 发明名称 | 薄膜晶体管和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种通过抑制电气特性的劣化而提高可靠性的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：形成沟道的氧化物半导体膜；经由栅极绝缘膜放置在氧化物半导体膜的一侧上的栅电极；以及作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过从氧化物半导体膜的一侧按顺序叠层至少第一和第二金属层而获得的。第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属、具有阻氧性的金属、或具有阻氧性的金属的氮化物或硅氮化物制成。 | ||
| 申请公布号 | CN101740636B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200910224527.1 | 申请日期 | 2009.11.17 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 德永和彦 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李颖 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基片(11)；在基片(11)上的选择区域中的栅电极(12)；形成为覆盖基片(11)和栅电极(12)的栅极绝缘膜(13)；设置在栅极绝缘膜(13)上的氧化物半导体膜(14)，在氧化物半导体膜(14)中对应于栅电极(12)的区域中形成沟道(14A)；在氧化物半导体膜(14)中形成的沟道(14A)上设置的沟道保护膜(15)；作为源电极和漏电极、与氧化物半导体膜相接触地形成的一对电极，所述一对电极是通过叠层至少第一和第二金属层而获得的，所述第一金属层与所述氧化物半导体膜相接触，所述源电极和漏电极覆盖被沟道保护膜(15)暴露的氧化物半导体膜(14)；其中第一金属层由离子化能量等于或高于钼(Mo)的金属制成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||